一、拟开展的研究工作： 

　　1、化合物半导体材料异质外延和物性研究； 

　　2、压电电子器件/光电子器件的设计与研发。 

　　二、岗位及相关要求 

　　1、科研基础技能扎实，学习能力强，具备创新素质，已发表国际高水准的论文，能独立开展研究工作；工作踏实，有良好的合作精神。 

　　2、具有材料、微电子、半导体物理或相近等领域的研究经历和博士学位。 

　　3、熟练掌握相关专业领域的研究方法和关键技术，能迅速开展科研工作；有化合物半导体材料生长和表征的研究经验，能熟练使用和维护大型真空设备的申请者；有电子/光电子器件的研究经验，熟悉器件工艺流程的申请者；或有材料物理/器件模拟等经验的申请者，将优先考虑。  

　　4、助理研究员要在本学科或技术领域开展了创新的工作，做出过具有国际水平的研究成果，在重要核心刊物上发表过有影响的学术论文；特别优秀的申请人也可申请副研究员的职位。  

　　5、能够在较短的时间到岗工作，如有特殊情况，可另行商议。 

　　三、相关待遇： 

　　助理研究员工作优异可晋升副研究员，表现优异的博士后可留所继续在本研究组工作。 

　　四、申请材料及要求 

　　申请者以电子文本或邮寄方式提交申请材料，其中包括： 

　　1）个人简历 

　　2）以往学术成绩概述和3篇代表作品的pdf文件 

　　3）对应聘岗位的未来科研工作设想 

　　4）3封海内外知名专家推荐信和联系方式(推荐信应直接由推荐人寄到研究所提供的申请邮箱) 

　　5）学历、学位证书复印件以及其它能证明本人工作能力及学术成就的相关材料 

　　五、联系方式 

　　请应聘人将申请材料的电子版发送至联系人邮箱，我们收到简历后如有意向会在一周内与申请人联系。 

　　联系人：胡卫国 研究员 联系邮件: huweiguo@binn.cas.cn(邮件主题务必以: "博士招聘网+姓名+应聘博士后" 的格式发送) 

　　通讯地址：100083 北京市海淀区学院路30号天工大厦C座 

　　中国科学院北京纳米能源与系统研究所