深圳大学光电工程学院拥有光学工程博士点和博士后流动站。现根据科研工作需要，深圳大学光电工程学院“光子技术与器件”研究方向学术带头人郑瑞生教授课题组，面向海内外公开招聘以下方向博士后研究人员。
资格要求：
1）基本要求：
1.申请者应获得或即将获得博士学位；
2.具备良好的英语阅读，写作和沟通能力。
2)具体研究方向和要求
方向一：宽禁带半导体材料生长以及掺杂。
熟悉宽禁带半导体（AlN、GaN、SiC等）晶体或薄膜材料的制备及掺杂工作，有相关研究工作经验，同时，掌握相关材料的性能表征，且有一定半导体物理基础。
方向二：半导体光电器件。
熟悉半导体物理和器件物理，有处理多种半导体材料如二维材料，纳米材料或单晶材料等，构建半导体器件如场效应晶体管，发光二极管或光电探测器等的经验。熟练掌握光电子器件的基本测量和表征方法手段。
聘期待遇：
1）年收入20万人民币起，组成为：学校每年8万元，年度考核合格后深圳市每年12万元；
2）根据个人工作业绩，学校和课题组会另有科研补贴；
3）按照中级职称享受学校廉租房待遇；
4）根据深圳市有关规定的待遇，博士后出站后留深工作，会提供10万元科研启动经费，优秀博士后可以申请深圳市后备人才计划，有40万住房补贴；
5）可在聘期内以项目负责人身份申请各级科研基金课题。
申请方式：
有意者可先将个人简历、代表论文（近五年，五篇）发送至：
课题组主要成员介绍：
郑瑞生，博士，教授，博士生导师。深圳大学“光学工程”博士点“光子技术与器件”研究方向学术带头人。承担国家自然基金重点项目、“973”前期专项等多项国家级科研项目。主要从事宽禁带化合物半导体材料的实验和理论研究，半导体量子结构中的元激发和多元混晶化合物物理性质的研究。
http://opto.szu.edu.cn/index.php?s=/home/article/detail/id/80.html
武红磊，博士，副院长，硕士导师。近五年内，以第一作者身份在国内外学术期刊上已经发表论文16篇，申请专利6项，主持多项国家级研究项目。主要从事化合物半导体（AlN、GaN等）晶体及薄膜材料制备及性能的实验和理论研究工作。
http://opto.szu.edu.cn/index.php?s=/home/article/detail/id/113.html
孙振华，香港理工大学博士，法国国家科学院博士后，深圳高层次人才项目孔雀计划C类人才。主持承担国家级项目1项。在国际顶尖期刊《AdvancedMaterials》、《ACSnano》等上发表多篇文章，总被引用600多次。主要从事基于先进半导体的光电子器件研究。
http://opto.szu.edu.cn/index.php?s=/home/article/detail/id/472.html
https://scholar.google.com.hk/citations?user=3T1DhwsAAAAJ&hl=en |