基本信息 |
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个人相片 |
| 姓 名： |
陈诚 |
性 别： |
男 |
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| 民 族： |
汉族 |
出生年月： |
1988年11月5日 |
| 证件号码： |
330322198811****** |
婚姻状况： |
未婚 |
| 身 高： |
174cm |
体 重： |
72kg |
| 户 籍： |
浙江温州 |
现所在地： |
北京北京市 |
| 毕业学校： |
法国巴黎萨克雷大学 |
学 历： |
博士 |
| 专业名称： |
电气工程-电力电子 |
毕业年份： |
2016年 |
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| 联系方式 |
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求职意向 |
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| 职位性质： |
全 职 |
| 职位类别： |
电子/电器/半导体/仪器仪表
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| 职位名称： |
新能源 ; 电力电子 ; |
| 工作地区： |
上海 ; |
| 待遇要求： |
20000元/月 可面议 ; 不需要提供住房 |
| 到职时间： |
可随时到岗 |
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技能专长 |
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| 语言能力： |
英语 六级 ; 法语 熟练 ; 普通话 标准 |
| 综合技能： |
（研究生阶段）研究方向及成果
碳化硅半导体在航空电子领域的应用 (隶属法国民航局CORAC研究项目, 设计以SiC半导体 为开关的大功率逆变器和电流器)
；
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教育培训 |
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| 教育经历： |
| 时间 |
所在学校 |
学历 |
| 2006年9月 - 2010年7月 |
华中科技大学 |
本科 |
| 2010年9月 - 2012年7月 |
法国巴黎第十一大学 |
硕士 |
| 2014年2月 - 2016年11月 |
法国巴黎萨克雷大学 |
博士 |
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| 培训经历： |
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工作经历 |
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| 所在公司： |
法国国家科学研究中心 |
| 时间范围： |
2012年9月 - 2014年2月 |
| 公司性质： |
国有企业 |
| 所属行业： |
电气 |
| 担任职位： |
电子/电器/半导体/仪器仪表-电气工程师/技术员 |
| 工作描述： |
2012.09-
2014.01
助理工程师
法国国家科学研究中心
课题 : 碳化硅大功率半导体器件 SiC MOSFET 在公共交通中的潜在应用
；；测量和计算 SiC MOSFET 的性能参数
；
；；对 SiC MOSFET 建模；；对含有 SiC MOSFET 开关器件的变流器电路进行模拟仿真
；；与法国工业公司代表沟通汇报该研究项目进度
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| 离职原因： |
公司没有很好的发展空间 |
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其他信息 |
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| 自我评价： |
本人活泼开朗，积极向上。希望贵公司能给我一个机会。 |
| 发展方向： |
希望贵公司能给我创造一个发挥潜力的平台，我会用实际行动来表现我自己。 |
| 其他要求： |
希望贵公司能给我提供学习的机会，从而使自己能跟上时代的步伐。 |
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